Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TQM050NB06CR RLG
Изображение служит лишь для справки
TQM050NB06CR RLG
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
- Date Sheet
Lagernummer 2574
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:8-PDFNU (5x6)
- Mfr:Taiwan Semiconductor Corporation
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16A (Ta), 104A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):7V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.1W (Ta), 136W (Tc)
- Основной номер продукта:TQM050
- Квалификация:AEC-Q101
- Прямоходящий ток вывода Id:104A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Время типичного задержки включения:11 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3.8 V
- Распад мощности:136 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.013143 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:2500
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:71 S
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:TQM050NB06CR
- Производитель:Taiwan Semiconductor
- Бренд:Taiwan Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот:114 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:5 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:82 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:104 A
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:136W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5mOhm @ 16A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.8V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6904 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:114 nC @ 10 V
- Время подъема:20 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 2574
Итого $0.00000