XPH3R114MC,L1XHQ

Name: Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R114MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 5 (7 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)
MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Date Sheet

Lagernummer 1673

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)
Поставщик упаковки устройства：8-SOP Advance (5x5)
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：960mW (Ta), 170W (Tc)
Основной номер продукта：XPH3R114
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：62 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.1 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：170 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 10 V
Вес единицы：0.012699 oz
Минимальная температура работы：-
Пакетная партия производителя：5000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：XPH3R114MC,L1XHQ(O
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：230 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.1 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：1734 ns
Id - Непрерывный ток разряда：100 A
Серия：U-MOSVI
Рабочая температура：175°C
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.1mOhm @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9500 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：230 nC @ 10 V
Время подъема：50 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：+20V, -10V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 1673

Итого $0.00000