Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD90P04P405ATMA2
Изображение служит лишь для справки
IPD90P04P405ATMA2
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Date Sheet
Lagernummer 7483
- 1+： $0.62258
- 10+： $0.58734
- 100+： $0.55410
- 500+： $0.52273
- 1000+： $0.49314
Zwischensummenbetrag $0.62258
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO252-3-313
- Прямоходящий ток вывода Id：90
- Основной номер продукта：IPD90P
- Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：90A (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Mfr：Infineon Technologies
- Квалификация：AEC-Q101
- Id - Непрерывный ток разряда：90 A
- РХОС：Details
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.7 mOhms
- Зарядная характеристика ворот：118 nC
- Бренд：Infineon Technologies
- Производитель：Infineon
- Партийные обозначения：IPD90P04P4-05 SP002325780
- Режим канала：Enhancement
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Пакетная партия производителя：2500
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Вес единицы：0.011640 oz
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Полярность транзистора：P-Channel
- Распад мощности：125 W
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Описание пакета：,
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IPD90P04P405ATMA2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：1.62
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：125
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.7mOhm @ 90A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10300 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：154 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：P
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 7483
- 1+： $0.62258
- 10+： $0.58734
- 100+： $0.55410
- 500+： $0.52273
- 1000+： $0.49314
Итого $0.62258
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты