Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HUFA76609D3ST_NL
Изображение служит лишь для справки
HUFA76609D3ST_NL
- Fairchild Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 2281
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:TO-252, (D-Pak)
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Mfr:Fairchild Semiconductor
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:49W (Tc)
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя:HUFA76609D3ST_NL
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Fairchild Semiconductor Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.16
- Код упаковки компонента:TO-252AA
- Максимальный ток утечки (ID):10 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:160mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:425 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:16 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
- Угол настройки (макс.):±16V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.168 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2281
Итого $0.00000