Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFU222
Изображение служит лишь для справки
IRFU222
- Harris Corporation
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 905
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Вид крепления:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:I-PAK
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная мощность рассеяния:50W (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:3.8A (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакет:Bulk
- Mfr:Harris Corporation
- Форма упаковки:IN-LINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя:IRFU222
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.39
- Максимальный ток утечки (ID):3.8 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.2Ohm @ 2.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:330 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:18 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):200 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-251AA
- Сопротивление открытого канала-макс:1.2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:15 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):85 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
Со склада 905
Итого $0.00000