IRF822

Name: Harris Corporation IRF822
Brand: Harris Corporation
Price: 0.4446747 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (18 reviews)

Harris Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 18559

1+： $0.44467
10+： $0.41950
100+： $0.39576
500+： $0.37336
1000+： $0.35222

Zwischensummenbetrag $0.44467

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：50W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.2A (Tc)
Состояние продукта：Active
Пакет：Bulk
Mfr：Harris Corporation
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Артикул Производителя：IRF822
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Rochester Electronics LLC
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Ранг риска：5.08
Максимальный ток утечки (ID)：2 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4Ohm @ 1.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：360 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220AB
Сопротивление открытого канала-макс：4 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：7 A
Минимальная напряжённость разрушения：500 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-

Со склада 18559

1+： $0.44467
10+： $0.41950
100+： $0.39576
500+： $0.37336
1000+： $0.35222

Итого $0.44467