TPH2R408QM,L1Q

Name: Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.6 (14 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Поставщик упаковки устройства：8-SOP Advance (5x5)
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：3W (Ta), 210W (Tc)
Основной номер продукта：TPH2R408
Прямоходящий ток вывода Id：120
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
Распад мощности：210 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.003069 oz
Минимальная температура работы：-
Пакетная партия производителя：5000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：87 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.43 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：120 A
Серия：U-MOSX-H
Рабочая температура：175°C
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：210
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.43mOhm @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8300 pF @ 40 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：87 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000