Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MTY25N60E
Изображение служит лишь для справки
MTY25N60E
- onsemi
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 1207
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Mfr:onsemi
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:CASE 340G-02, 3 PIN
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:CASE 340G-02
- Артикул Производителя:MTY25N60E
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.39
- Код упаковки компонента:TO-264AA
- Максимальный ток утечки (ID):25 A
- Серия:*
- Конечная обработка контакта:NOT SPECIFIED
- Дополнительная Характеристика:HIGH VOLTAGE
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-264AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.21 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:65 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):3000 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 1207
Итого $0.00000