(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UPA2350BT1P-E4-A
Изображение служит лишь для справки
UPA2350BT1P-E4-A
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 5032
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：GRID ARRAY, S-PBGA-B4
- Форма упаковки：GRID ARRAY
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：SXLG0004JD-A4
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：UPA2350BT1P-E4-A
- Форма упаковки：SQUARE
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.8
- Код упаковки компонента：EFLIP(LGA)
- Серия：*
- Безоловая кодировка：Yes
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：S-PBGA-B4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.3 W
Со склада 5032
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
