XPN6R706NC,L1XHQ

Name: Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.8 (19 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Date Sheet

Lagernummer 22417

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Поставщик упаковки устройства：8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：40A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：840mW (Ta), 100W (Tc)
Основной номер продукта：XPN6R706
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：23 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：100 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.000705 oz
Минимальная температура работы：-
Пакетная партия производителя：5000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：XPN6R706NC,L1XHQ(O
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：35 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：6.7 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：49 ns
Id - Непрерывный ток разряда：40 A
Серия：U-MOSVIII-H
Рабочая температура：175°C
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.7mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 300μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2000 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35 nC @ 10 V
Время подъема：10 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 22417

Итого $0.00000