(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF654BFP001
Изображение служит лишь для справки
IRF654BFP001
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 2935
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：156W (Tc)
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IRF654B_FP001
- Производитель：Fairchild Semiconductor Corporation
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска：5.84
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Код соответствия REACH：compliant
- Конфигурация：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：140mOhm @ 10.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3400 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：123 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：250 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：21 A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：156 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2935
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
