Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 1125

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:TO-252-3 (DPAK)
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Mfr:Fairchild Semiconductor
  • Пакет:Bulk
  • Состояние продукта:Obsolete
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:35A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
  • Максимальная мощность рассеяния:70W (Ta)
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:ISL9N310AD3ST_NL
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Rochester Electronics LLC
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
  • Ранг риска:5.12
  • Максимальный ток утечки (ID):35 A
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:COMMERCIAL
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:10Ohm @ 35A, 10A
  • Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1800 pF @ 15 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:48 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-252AA
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.015 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:30 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристика ТРП:-

Со склада 1125

Итого $0.00000