Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TP90H050WS
Изображение служит лишь для справки
TP90H050WS
- Transphorm
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
- Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-247-3
- Mfr:Transphorm
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:34A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:119W (Tc)
- Основной номер продукта:TP90H050
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:900 V
- Время типичного задержки включения:62 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3.4 V
- Распад мощности:119 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.211644 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:30
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:Transphorm
- Бренд:Transphorm
- Зарядная характеристика ворот:17.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:63 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:60 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:34 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:63mOhm @ 22A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.4V @ 700μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:980 pF @ 600 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:17.5 nC @ 10 V
- Время подъема:11 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):900 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 10
Итого $0.00000