Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQ9945BEY-T1_BE3
Изображение служит лишь для справки
SQ9945BEY-T1_BE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SOIC
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5.4A (Tc)
- Основной номер продукта:SQ9945
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Время типичного задержки включения:6 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.5 V
- Распад мощности:4 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:2500
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:SQ9945BEY-T1_GE3
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот:12 nC
- Торговое наименование:TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:45 mOhms, 45 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:17 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:5.4 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Каналов количество:2 Channel
- Мощность - Макс:4W (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:64mOhm @ 3.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:470pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:12nC @ 10V
- Время подъема:2.8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:2 N-Channel
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 0
Итого $0.00000