Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM70AM025CD3AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM70AM025CD3AG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
- Date Sheet
Lagernummer 991
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:D3
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Box
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:538A (Tc)
- Основной номер продукта:MSCSM70
- Обратное напряжение:700 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:700 V
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 125 C
- Усв:- 10 V, + 25 V
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Screw Mounts
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology / Atmel
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:2.5 mOhms
- РХОС:Details
- Id - Непрерывный ток разряда:538 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-
- Пакетирование:Bulk
- Тип:Phase Leg
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Технология:SiC
- Мощность - Макс:-
- Тип ТРВ:-
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:-
- Втс(th) (Макс) @ Id:-
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:-
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:-
- Напряжение стока-исток (Vdss):700V
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП:-
- Продукт:Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока:1.5 V
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 991
Итого $0.00000