MSCSM120AM50CT1AG

Name: Microchip Technology MSCSM120AM50CT1AG
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.5 (17 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
Module
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
Date Sheet

Lagernummer 60

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：Module
Поставщик упаковки устройства：SP1F
Mfr：Microchip Technology
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：55A (Tc)
Основной номер продукта：MSCSM120
Обратное напряжение：1200 V
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1200 V
Время типичного задержки включения：30 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
Распад мощности：245 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 125 C
Усв：- 10 V, + 25 V
Минимальная температура работы：- 40 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Screw Mounts
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：50 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：50 ns
Id - Непрерывный ток разряда：55 A
Серия：-
Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Тип：Phase Leg
Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
Технология：SiC
Мощность - Макс：245W (Tc)
Тип ТРВ：2 N Channel (Phase Leg)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50mOhm @ 40A, 20V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.7V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1990pF @ 1000V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：137nC @ 20V
Время подъема：30 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
Продукт：Power MOSFET Modules
Вф - Напряжение прямого тока：1.5 V at 15 A
Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules

Со склада 60

Итого $0.00000