Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM70VM19C3AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM70VM19C3AG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
Date Sheet
Lagernummer 2696
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：SP3F
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：124A (Tc)
- Основной номер продукта：MSCSM70
- Обратное напряжение：700 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：700 V
- Время типичного задержки включения：40 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.9 V
- Распад мощности：365 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 125 C
- Усв：- 10 V, + 25 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Screw Mounts
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：19 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：50 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：124 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Bulk
- Тип：Phase Leg
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：SiC
- Мощность - Макс：365W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：19mOhm @ 40A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 4mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4500pF @ 700V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：215nC @ 20V
- Время подъема：35 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：700V
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока：1.5 V at 50 A
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2696
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты