2SK3354-Z-AZ

Name: Renesas Electronics America Inc 2SK3354-Z-AZ
Brand: Renesas Electronics America Inc
Rating: 4.9 (14 reviews)

Renesas Electronics America Inc
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
-
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：1 Week
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Renesas Electronics America Inc
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код упаковки производителя：PRSS0004AJ-B3
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：2SK3354-Z-AZ
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Renesas Electronics Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
Ранг риска：5.41
Код упаковки компонента：MP-25Z
Максимальный ток утечки (ID)：83 A
Серия：*
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Название бренда：Renesas
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：83 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.012 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：332 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：302 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：100 W

Со склада 0

Итого $0.00000