(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT5018SLLG/TR
Изображение служит лишь для справки
APT5018SLLG/TR
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK
Date Sheet
Lagernummer 44
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：D3PAK
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：27A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：300W (Tc)
- Основной номер продукта：APT5018
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
- Время типичного задержки включения：9 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Распад мощности：300 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：0.218699 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：400
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Зарядная характеристика ворот：58 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：180 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：18 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：27 A
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：APT5018SLLG/TR
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.65
- Максимальный ток утечки (ID)：27 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：180mOhm @ 13.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2596 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：58 nC @ 10 V
- Время подъема：4 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Максимальный сливовой ток (ID)：27 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.18 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：108 A
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：1210 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：300 W
- Характеристика ТРП：-
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：38 pF
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 44
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
