SSM6N951L,EFF

Name: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N951L,EFF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 5 (19 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-SMD, No Lead
SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO
Date Sheet

Lagernummer 8217

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-SMD, No Lead
Поставщик упаковки устройства：6-TCSPA (2.14x1.67)
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A
Основной номер продукта：SSM6N951
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：12 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.4 V
Распад мощности：700 mW
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 8 V, + 8 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：10000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：26 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5.1 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：8 A
Серия：-
Рабочая температура：-
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：-
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Drain
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：-
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：-
Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 8217

Итого $0.00000