(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHP15N80AE-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHP15N80AE-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 104
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Mfr：Vishay Siliconix
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：156W (Tc)
- Основной номер продукта：SIHP15
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：TO-220AB
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：13A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Время типичного задержки включения：15 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：156 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 155 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：0.068784 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Минимальная прямая транконductанс：5.9 S
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот：35 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：304 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：35 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：13 A
- Серия：E
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：156W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：350mOhm @ 7.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1093 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：53 nC @ 10 V
- Время подъема：22 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 104
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
