(0)
Изображение служит лишь для справки
STGW50H65DFB2-4
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-4
- TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
Date Sheet
Lagernummer 12
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-4
- Поставщик упаковки устройства：TO-247-4
- Mfr：STMicroelectronics
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：86 A
- Условия испытания：400V, 50A, 12Ohm, 15V
- Основной номер продукта：STGW50
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Распад мощности：272 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Вес единицы：0.156264 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：600
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：STMicroelectronics
- Бренд：STMicroelectronics
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Серия：HB2
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：272
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：272 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 50A
- Прямоходящий ток коллектора：86
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：151 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：150 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：18ns/128ns
- Переключаемый энергопотребление：629μJ (on), 478μJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：92 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 12
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
