ITD50N04S4L07ATMA1

Name: Infineon Technologies ITD50N04S4L07ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (15 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
ITD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Date Sheet

Lagernummer 17

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：1 Week
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：PG-TO252-5-311
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：Infineon Technologies
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A (Tc)
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：ITD50N04S4L07ATMA1
Максимальный ток утечки (ID)：50 A
Ранг риска：5.73
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Код цикла жизни компонента：Active
Количество элементов：2
Производитель：Infineon Technologies AG
Форма упаковки：RECTANGULAR
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PSSO-G4
Конфигурация：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Мощность - Макс：46W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.2mOhm @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 18μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2480pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：33nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252
Сопротивление открытого канала-макс：0.0072 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：200 A
Минимальная напряжённость разрушения：40 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate

Со склада 17

Итого $0.00000