Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SIZ340BDT-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIZ340BDT-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerWDFN
- DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 3942
- 1+： $0.81228
- 10+： $0.76630
- 100+： $0.72293
- 500+： $0.68201
- 1000+： $0.64340
Zwischensummenbetrag $0.81228
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-Power33 (3x3)
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
- Основной номер продукта：SIZ340
- Число элементов на чипе：2
- Формат упаковки：PowerPAIR 3 x 3S
- Режим канала：Enhancement
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Полярность транзистора：N Channel
- Прямоходящий ток вывода Id：69.3A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：8 ns, 12 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.4 V
- Распад мощности：16.7 W, 31 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 16 V, + 20 V
- Вес единицы：0.005046 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：30 S, 60 S
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот：8.4 nC, 15.7 nC
- Торговое наименование：TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.31 mOhms, 8.56 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：18 ns, 22 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：36 A, 69.3 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Число контактов：8
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
- Время подъема：6 ns, 7 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：TrenchFET Power MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3942
- 1+： $0.81228
- 10+： $0.76630
- 100+： $0.72293
- 500+： $0.68201
- 1000+： $0.64340
Итого $0.81228
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты