Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI1308EDL-T1-BE3
Изображение служит лишь для справки
SI1308EDL-T1-BE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-70, SOT-323
- MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
- Date Sheet
Lagernummer 18464
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поставщик упаковки устройства:SC-70-3
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.5A (Ta), 1.4A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния:400mW (Ta), 500mW (Tc)
- Основной номер продукта:SI1308
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Время типичного задержки включения:8 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.5 V
- Распад мощности:400 mW
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 12 V, + 12 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:SI1308EDL-T1-GE3
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот:2.7 nC
- Торговое наименование:TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:132 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:15 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:1.5 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:132mOhm @ 1.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:105 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:4.1 nC @ 10 V
- Время подъема:13 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 18464
Итого $0.00000