(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF740LCPBF-BE3
Изображение служит лишь для справки
IRF740LCPBF-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 1298
- 1+： $2.74424
- 10+： $2.58890
- 100+： $2.44236
- 500+： $2.30411
- 1000+： $2.17369
Zwischensummenbetrag $2.74424
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Mfr：Vishay Siliconix
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
- Основной номер продукта：IRF740
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：400 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：125 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：39 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：550 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：10 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：550mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1100 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：39 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：400 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 1298
- 1+： $2.74424
- 10+： $2.58890
- 100+： $2.44236
- 500+： $2.30411
- 1000+： $2.17369
Итого $2.74424
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
