(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFR110PBF-BE3
Изображение служит лишь для справки
IRFR110PBF-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 3060
- 1+： $0.86574
- 10+： $0.81674
- 100+： $0.77051
- 500+： $0.72689
- 1000+： $0.68575
Zwischensummenbetrag $0.86574
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252AA
- Mfr：Vishay Siliconix
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.3A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta), 25W (Tc)
- Основной номер продукта：IRFR110
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：2.5 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：8.3 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：540 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：4.3 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：540mOhm @ 2.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：180 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.3 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 3060
- 1+： $0.86574
- 10+： $0.81674
- 100+： $0.77051
- 500+： $0.72689
- 1000+： $0.68575
Итого $0.86574
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
