Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB08R4VPX
Изображение служит лишь для справки
PMPB08R4VPX
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
- Date Sheet
Lagernummer 57266
- 1+: $0.40837
- 10+: $0.38525
- 100+: $0.36345
- 500+: $0.34287
- 1000+: $0.32347
Zwischensummenbetrag $0.40837
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства:DFN2020MD-6
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A (Ta)
- Максимальная мощность рассеяния:1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
- Основной номер продукта:PMPB08
- Прямоходящий ток вывода Id:12
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:-
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:12 V
- Время типичного задержки включения:4 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:900 mV
- Распад мощности:12.5 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 8 V, + 8 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Id - Непрерывный ток разряда:16.7 A
- Время задержки отключения типичного:149 ns
- РХОС:Details
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:9.6 mOhms
- Зарядная характеристика ворот:27 nC
- Бренд:Nexperia
- Производитель:Nexperia
- Партийные обозначения:934661979115
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:39 S
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Пакетная партия производителя:3000
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:1.9
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9.6mOhm @ 12A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2200 pF @ 6 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:40 nC @ 4.5 V
- Время подъема:15 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):12 V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 P-Channel Trench MOSFET
- Канальный тип:P Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 57266
- 1+: $0.40837
- 10+: $0.38525
- 100+: $0.36345
- 500+: $0.34287
- 1000+: $0.32347
Итого $0.40837