Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQJ500AEP-T1_BE3
Изображение служит лишь для справки
SQJ500AEP-T1_BE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A (Tc)
- Основной номер продукта:SQJ500
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Время типичного задержки включения:8 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:48 W
- Полярность транзистора:N-Channel, P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:SQJ500AEP-T1_GE3
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот:25.5 nC, 30.2 nC
- Торговое наименование:TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:9.2 mOhms, 27 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:22 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:30 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Каналов количество:2 Channel
- Мощность - Макс:48W (Tc)
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 27mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.3V @ 250μA, 2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1843pF @ 20V, 1628pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:38.3nC @ 10V, 45nC @ 10V
- Время подъема:12 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel, 1 P-Channel
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 0
Итого $0.00000