SQ4917EY-T1_BE3

Name: Vishay Siliconix SQ4917EY-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (12 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
Date Sheet

Lagernummer 24583

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Поставщик упаковки устройства：8-SOIC
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
Основной номер продукта：SQ4917
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：11 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：5 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SQ4917EY-T1_GE3
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：65 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：40 mOhms, 40 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：35 ns
Id - Непрерывный ток разряда：8 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：5W (Tc)
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：48mOhm @ 4.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1910pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：65nC @ 10V
Время подъема：11 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：2 P-Channel
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 24583

Итого $0.00000