(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RM3401
Изображение служит лишь для справки
RM3401
-
Rectron USA
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET P-CHANNEL 30V 4.2A SOT23
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23
- Mfr：Rectron USA
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.2A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.2W (Ta)
- Непрерывный ток стока：4.2(A)
- Дrain-Source On-Volt：30(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：SOT-23
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±12(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Surface Mount
- Производитель：RECTRON
- РХОС：Y
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：7 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.3 V
- Распад мощности：1.2 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 12 V, + 12 V
- Вес единицы：0.000282 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：10 S
- Бренд：Rectron
- Зарядная характеристика ворот：8.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：55 mOhms
- Время задержки отключения типичного：30 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：4.2 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Tape and Reel
- Тип：Power MOSFET
- Капацитивность：Input Capacitance (Ciss) - 880pF
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：3
- Направленность：P
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Напряжение：Vdss - 30V
- Распад мощности：1.2(W)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：55mOhm @ 4.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：880 pF @ 15 V
- Время подъема：3 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 P-Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
