Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 3715

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:12 Weeks
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:3-UDFN Exposed Pad
  • Поставщик упаковки устройства:U-DFN2020-3 (Type B)
  • Mfr:Diodes Incorporated
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):4 A
  • Полярность транзистора:NPN
  • MSL:MSL 1 - Unlimited
  • Квалификация:AEC-Q101
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:8 V
  • Распад мощности:1.8 W
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:250 at 10 mA, 2 V
  • Вес единицы:0.000353 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:125 MHz
  • Производитель:Diodes Incorporated
  • Бренд:Diodes Incorporated
  • Максимальный постоянный ток сбора:4 A
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:550 at 10 mA, 2 V
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:60 V
  • Артикул Производителя:DXTN10060DFJBQ-7
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:DIODES INC
  • Ранг риска:1.58
  • Серия:Automotive, AEC-Q101
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Пакетирование:Cut Tape
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Конфигурация:Single
  • Распад мощности:1.5
  • Мощность - Макс:1.8 W
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:340 @ 200mA, 2V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):100nA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:320mV @ 200mA, 4A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60 V
  • Частота перехода:300
  • Частота - Переход:125MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100 V
  • Прямоходящий ток коллектора:100
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 3715

Итого $0.00000