Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 20

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:3-SMD, No Lead
  • Поставщик упаковки устройства:UB
  • Mfr:Microchip Technology
  • Пакет:Tape & Reel (TR)
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
  • Основной номер продукта:2N3700
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
  • Распад мощности:500 mW
  • Полярность транзистора:NPN
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:15 at 1 A, 10 V
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology
  • Максимальный постоянный ток сбора:1 A
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:300 at 500 mA, 10 V
  • РХОС:N
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:80 V
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Пакетирование:Reel
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:500 mW
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:50 @ 500mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10nA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):80 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):140 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 20

Итого $0.00000