Изображение служит лишь для справки
2N3439UA/TR
- Microchip Technology
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- TRANS NPN 350V 1A
- Date Sheet
Lagernummer 20
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:4-SMD, No Lead
- Поставщик упаковки устройства:-
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
- Распад мощности:800 mW
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:10 at 200mA, 10 V
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology
- Максимальный постоянный ток сбора:1 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:160 at 20 mA, 10 V
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:350 V
- Серия:-
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Пакетирование:Reel
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:800 mW
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 20mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):2μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 4mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):350 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):450 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 20
Итого $0.00000