Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BUK9K35-60RAX
Изображение служит лишь для справки
BUK9K35-60RAX
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-1205, 8-LFPAK56
- BUK9K35-60RA/SOT1205/LFPAK56D
- Date Sheet
Lagernummer 3061
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-1205, 8-LFPAK56
- Поставщик упаковки устройства:LFPAK56D
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:22A (Ta)
- Квалификация:AEC-Q101
- Полярность транзистора:N Channel
- Прямоходящий ток вывода Id:22A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Время типичного задержки включения:7.1 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.1 V
- Распад мощности:38 W
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 10 V, + 10 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1500
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:934662537115
- Производитель:Nexperia
- Бренд:Nexperia
- Зарядная характеристика ворот:7.8 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:35 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:14.9 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:22 A
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Каналов количество:2 Channel
- Мощность - Макс:38W (Ta)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:32mOhm @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1081pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:7.8nC @ 5V
- Время подъема:11.3 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Тип продукта:MOSFET
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 3061
Итого $0.00000