Изображение служит лишь для справки

UF3C120150B7S

Lagernummer 4884

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Поставщик упаковки устройства:D2PAK-7
  • Mfr:UnitedSiC
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:17A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
  • Максимальная мощность рассеяния:136W (Tc)
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.2 kV
  • Чувствительный к влажности:Yes
  • Время типичного задержки включения:32 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4.4 V
  • Распад мощности:136 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Усв:- 25 V, + 25 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:800
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Режим канала:Enhancement
  • Производитель:UnitedSiC
  • Бренд:UnitedSiC
  • Зарядная характеристика ворот:25.7 nC
  • Торговое наименование:SiC FET
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:150 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:32 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:17 A
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Пакетирование:Cut Tape
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:180mOhm @ 5A, 12V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:5.5V @ 10mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:738 pF @ 100 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:25.7 nC @ 12 V
  • Время подъема:6 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):1200 V
  • Угол настройки (макс.):±25V
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:1 N-Channel
  • Характеристика ТРП:Super Junction
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 4884

Итого $0.00000