NTMT125N65S3H

Name: onsemi NTMT125N65S3H
Brand: onsemi
Price: 2.181309 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (5 reviews)

onsemi
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
4-PowerTSFN
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Date Sheet

Lagernummer 3043

1+： $2.18131
10+： $2.05784
100+： $1.94136
500+： $1.83147
1000+： $1.72780

Zwischensummenbetrag $2.18131

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：4-PowerTSFN
Поставщик упаковки устройства：4-TDFN (8x8)
Mfr：onsemi
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：171W (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：24
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：TDFN4
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：171 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：onsemi
Бренд：onsemi
Зарядная характеристика ворот：44 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：125 mOhms
РХОС：N
Id - Непрерывный ток разряда：24 A
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：171
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125mOhm @ 12A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 2.1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：44 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 3043

1+： $2.18131
10+： $2.05784
100+： $1.94136
500+： $1.83147
1000+： $1.72780

Итого $2.18131