SQJ136ELP-T1_GE3

Name: Vishay Siliconix SQJ136ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (12 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：350A (Tc)
Максимальная мощность рассеяния：500W (Tc)
Основной номер продукта：SQJ136
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：PowerPAK SO-8L
Режим канала：Enhancement
Квалификация：AEC-Q101
Прямоходящий ток вывода Id：350A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：13 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
Распад мощности：500 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：107 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.12 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：50 ns
Id - Непрерывный ток разряда：350 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Тип：Automotive N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：4
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：500W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.12mOhm @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8015 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：150 nC @ 10 V
Время подъема：16 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Продукт：MOSFET
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000