Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IAUC120N04S6N006ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IAUC120N04S6N006ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- IAUC120N04S6N006ATMA1
Date Sheet
Lagernummer 5610
- 1+： $0.77116
- 10+： $0.72751
- 100+： $0.68633
- 500+： $0.64748
- 1000+： $0.61083
Zwischensummenbetrag $0.77116
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8-53
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A (Tj)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：187W (Tc)
- Основной номер продукта：IAUC120
- Прямоходящий ток вывода Id：405
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：SuperSO8 5 x 6
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Время типичного задержки включения：13 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：187 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：5000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IAUC120N04S6N006 SP004463660
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：116 nC
- Торговое наименование：OptiMOS
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：600 uOhms
- Время задержки отключения типичного：33 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：120 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：8
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：187
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：0.6mOhm @ 60A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 130μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10117 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：151 nC @ 10 V
- Время подъема：8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 5610
- 1+： $0.77116
- 10+： $0.72751
- 100+： $0.68633
- 500+： $0.64748
- 1000+： $0.61083
Итого $0.77116
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты