(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTMT110N65S3HF
Изображение служит лишь для справки
NTMT110N65S3HF
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-PowerTSFN
- POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Date Sheet
Lagernummer 4607
- 1+： $4.43686
- 10+： $4.18571
- 100+： $3.94879
- 500+： $3.72527
- 1000+： $3.51440
Zwischensummenbetrag $4.43686
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-PowerTSFN
- Поставщик упаковки устройства：4-PQFN (8x8)
- Mfr：onsemi
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：240W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id：30
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：PQFN4 8 x 8
- Режим канала：Enhancement
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Id - Непрерывный ток разряда：30 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：110 mOhms
- Зарядная характеристика ворот：62 nC
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Полярность транзистора：N-Channel
- Распад мощности：240 W
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Число контактов：4
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：240
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：110mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 740μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2635 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：62 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 4607
- 1+： $4.43686
- 10+： $4.18571
- 100+： $3.94879
- 500+： $3.72527
- 1000+： $3.51440
Итого $4.43686
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
