NTMT090N65S3HF

Name: onsemi NTMT090N65S3HF
Brand: onsemi
Rating: 4.7 (17 reviews)

onsemi
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
4-PowerTSFN
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：4-PowerTSFN
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：4-PQFN (8x8)
Максимальная мощность рассеяния：272W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：36A (Tc)
Состояние продукта：Active
Mfr：onsemi
Прямоходящий ток вывода Id：36
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：PQFN4 8 x 8
Режим канала：Enhancement
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
Распад мощности：272 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Зарядная характеристика ворот：66 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：90 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：36 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Число контактов：4
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：272
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90mOhm @ 18A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 860μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2930 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：66 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-

Со склада 0

Итого $0.00000