NTBGS1D5N06C

Name: onsemi NTBGS1D5N06C
Brand: onsemi
Price: 1.936047 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (7 reviews)

onsemi
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Date Sheet

Lagernummer 996

1+： $1.93605
10+： $1.82646
100+： $1.72307
500+： $1.62554
1000+： $1.53353

Zwischensummenbetrag $1.93605

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263)
Максимальная мощность рассеяния：3.7W (Ta), 211W (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V, 12V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35A (Ta), 267A (Tc)
Состояние продукта：Active
Mfr：onsemi
Прямоходящий ток вывода Id：267
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：TO-263-7
Режим канала：Enhancement
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：211 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：800
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：onsemi
Бренд：onsemi
Зарядная характеристика ворот：78.6 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.62 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：267 A
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：7
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：211
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.55mOhm @ 64A, 12V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 318μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6250 pF @ 30 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：78.6 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 996

1+： $1.93605
10+： $1.82646
100+： $1.72307
500+： $1.62554
1000+： $1.53353

Итого $1.93605