SIR580DP-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SIR580DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (11 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 6425

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35.8A (Ta), 146A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：6.25W (Ta), 104W (Tc)
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAK SO-8
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：146A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
Время типичного задержки включения：46 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：104 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：76 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.2 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：50 ns
Id - Непрерывный ток разряда：146 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Reel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：104W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.7mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4100 pF @ 40 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：76 nC @ 10 V
Время подъема：20 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 6425

Итого $0.00000