IPP65R110CFD7XKSA1

Name: Infineon Technologies IPP65R110CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
HIGH POWER_NEW
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поставщик упаковки устройства：PG-TO220-3
Mfr：Infineon Technologies
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：22A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：114W (Tc)
Основной номер продукта：IPP65R
Прямоходящий ток вывода Id：22
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：TO-220
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.5 V
Распад мощности：114 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 40 C
Пакетная партия производителя：500
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IPP65R110CFD7 SP005413367
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：41 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：110 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：22 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：3
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：114
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：110mOhm @ 9.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 480μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1942 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：41 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000