Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXFH36N60X3
Изображение служит лишь для справки
IXFH36N60X3
- IXYS
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247
- Date Sheet
Lagernummer 395
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-247
- Mfr:IXYS
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:36A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:446W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Время типичного задержки включения:23 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:5 V
- Распад мощности:446 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:30
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:IXYS
- Бренд:IXYS
- Зарядная характеристика ворот:29 nC
- Торговое наименование:HiPerFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:90 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:45 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:36 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:90mOhm @ 18A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2030 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:29 nC @ 10 V
- Время подъема:8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 395
Итого $0.00000