Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 29082067

  • 1+: $1.84156
  • 10+: $1.73732
  • 100+: $1.63898
  • 500+: $1.54621
  • 1000+: $1.45869

Zwischensummenbetrag $1.84156

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Поставщик упаковки устройства:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Mfr:onsemi
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A (Ta), 79A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
  • Максимальная мощность рассеяния:2.7W (Ta), 102W (Tc)
  • Число элементов на чипе:1
  • Формат упаковки:SO-8FL
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:120 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
  • Распад мощности:102 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:1500
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Режим канала:Enhancement
  • Производитель:onsemi
  • Бренд:onsemi
  • Зарядная характеристика ворот:33 nC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:8 mOhms
  • РХОС:Details
  • Id - Непрерывный ток разряда:79 A
  • MSL:MSL 1 - Unlimited
  • Квалификация:-
  • Прямоходящий ток вывода Id:79A
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Число контактов:8
  • Каналов количество:1 Channel
  • Распад мощности:102W
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8mOhm @ 36A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 200μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2705 pF @ 60 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:33 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):120 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Тип продукта:MOSFET
  • Канальный тип:N
  • Характеристика ТРП:-
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 29082067

  • 1+: $1.84156
  • 10+: $1.73732
  • 100+: $1.63898
  • 500+: $1.54621
  • 1000+: $1.45869

Итого $1.84156