TK190U65Z,RQ

Name: Toshiba Semiconductor and Storage TK190U65Z,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.5 (13 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerSFN
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Date Sheet

Lagernummer 823

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerSFN
Поставщик упаковки устройства：TOLL
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：130W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Время типичного задержки включения：34 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：130 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.026455 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：25 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：149 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：66 ns
Id - Непрерывный ток разряда：15 A
Серия：DTMOSVI
Рабочая температура：150°C
Пакетирование：MouseReel
Тип：Silicon N-Channel MOSFET
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190mOhm @ 7.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 610μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1370 pF @ 300 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25 nC @ 10 V
Время подъема：14 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Продукт：MOSFET
Категория продукта：MOSFET
Ширина：9.9 mm
Высота：2.3 mm
Длина：10.38 mm

Со склада 823

Итого $0.00000