Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP90N06VDK-E1-AY
Изображение служит лишь для справки
NP90N06VDK-E1-AY
- Renesas Electronics America Inc
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
- Date Sheet
Lagernummer 4954
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства:TO-252 (MP-3ZP)
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:90A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:1.2W (Ta), 147W (Tc)
- Пакетная партия производителя:2500
- Производитель:Renesas Electronics
- Бренд:Renesas Electronics
- РХОС:Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:147 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:63 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:5.3 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:90 A
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура:175°C
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.3mOhm @ 45A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6000 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:95 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
- Ширина:6.1 mm
- Высота:2.65 mm
- Длина:6.5 mm
Со склада 4954
Итого $0.00000