Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIR880BDP-T1-RE3
Изображение служит лишь для справки
SIR880BDP-T1-RE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
- Date Sheet
Lagernummer 11170
- 1+: $1.51125
- 10+: $1.42571
- 100+: $1.34501
- 500+: $1.26887
- 1000+: $1.19705
Zwischensummenbetrag $1.51125
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:18.6A (Ta), 70.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:5W (Ta), 71.4W (Tc)
- Число элементов на чипе:2
- Формат упаковки:PowerPAK SO-8
- Режим канала:Enhancement
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:70.6A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:80 V
- Время типичного задержки включения:56 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.4 V
- Распад мощности:71.4 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот:66 nC
- Торговое наименование:TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:8 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:78 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:70.6 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:Reel
- Подкатегория:MOSFETs
- Число контактов:8
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:71.4W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6.5mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2930 pF @ 40 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:66 nC @ 10 V
- Время подъема:146 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):80 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 11170
- 1+: $1.51125
- 10+: $1.42571
- 100+: $1.34501
- 500+: $1.26887
- 1000+: $1.19705
Итого $1.51125