SQJQ141EL-T1_GE3

Name: Vishay Siliconix SQJQ141EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (16 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Date Sheet

Lagernummer 155

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：390A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：600W (Tc)
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：PowerPAK 8 x 8L
Квалификация：AEC-Q101
Прямоходящий ток вывода Id：390A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：22 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：600 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：180 s
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：487 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：196 ns
Id - Непрерывный ток разряда：545 A
Серия：Automotive, AEC-Q101
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：4
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：600W
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：62190 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：731 nC @ 10 V
Время подъема：30 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Канальный тип：P
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 155

Итого $0.00000